SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨志峰 ; 陈静 ; 孙佳胤 ; 武爱民 ; 王曦 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | InP 异质结晶体管 聚酰亚胺 平坦化 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m。SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大。通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51863]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨志峰,陈静,孙佳胤,等. SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析[J]. 功能材料与器件学报,2008(06). |
| APA | 杨志峰,陈静,孙佳胤,武爱民,&王曦.(2008).SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析.功能材料与器件学报(06). |
| MLA | 杨志峰,et al."SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析".功能材料与器件学报 .06(2008). |
入库方式： OAI收割
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