一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖德元 ; 王曦 ; 俞跃辉 ; 袁海江 ; 程新红 ; 陈静 ; 甘甫烷 ; 张苗 ; 季明华 ; 吴汉明 ; 谢志峰 |
| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 14 |
| 关键词 | 锂离子电池 微结构 X射线衍射 嵌脱锂物理机理 |
| ISSN号 | 0023-074X |
| 中文摘要 | 提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构.与目前其他报道的CMOS器件相比,NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向,且均有埋层氧化层将其与衬底隔离,器件结构简单、紧凑,集成度增加了一倍.报道了积累型圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,由于克服了不对称场的积聚,如锐角效应导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.SOI圆柱体全包围栅场效应晶体管在积累工作模式下,电流流 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51946]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖德元,王曦,俞跃辉,等. 一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管[J]. 科学通报,2009(14). |
| APA | 肖德元.,王曦.,俞跃辉.,袁海江.,程新红.,...&谢志峰.(2009).一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管.科学通报(14). |
| MLA | 肖德元,et al."一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管".科学通报 .14(2009). |
入库方式： OAI收割
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