双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李成 ; 李好斯白音 ; 李耀耀 ; 王凯 ; 顾溢 ; 张永刚 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 太赫兹 量子级联激光器 蒙特卡洛方法 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51999]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李成,李好斯白音,李耀耀,等. 双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究[J]. 半导体光电,2009(06). |
| APA | 李成,李好斯白音,李耀耀,王凯,顾溢,&张永刚.(2009).双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究.半导体光电(06). |
| MLA | 李成,et al."双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究".半导体光电 .06(2009). |
入库方式： OAI收割
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