AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘成 ; 曹春芳 ; 劳燕锋 ; 曹萌 ; 吴惠桢 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 数字梯度超晶格 InP缓冲层 InxGa1-xAs 位错 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异质隧道结结构,并应用于制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),器件在室温下脉冲激射。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52003]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘成,曹春芳,劳燕锋,等. AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用[J]. 半导体光电,2009(05). |
| APA | 刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,&吴惠桢.(2009).AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用.半导体光电(05). |
| MLA | 刘成,et al."AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用".半导体光电 .05(2009). |
入库方式： OAI收割
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