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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

文献类型:期刊论文

作者劳燕锋 ; 曹春芳 ; 吴惠桢 ; 曹萌 ; 龚谦
刊名物理学报
出版日期2009
期号03
关键词芯片毛细管电泳 氧化型辅酶Ⅰ 还原型辅酶Ⅰ 乳酸脱氢酶
ISSN号1000-3290
中文摘要设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3μmVCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52017]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,等. 亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器[J]. 物理学报,2009(03).
APA 劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,曹萌,&龚谦.(2009).亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器.物理学报(03).
MLA 劳燕锋,et al."亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器".物理学报 .03(2009).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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