异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王凯 ; 张永刚 ; 顾溢 ; 李成 ; 李好斯白音 ; 李耀耀 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 无线传感器网络 特征提取 LDB 时频能量图 相对微分熵 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52031]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王凯,张永刚,顾溢,等. 异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善[J]. 红外与毫米波学报,2009(06). |
| APA | 王凯,张永刚,顾溢,李成,李好斯白音,&李耀耀.(2009).异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善.红外与毫米波学报(06). |
| MLA | 王凯,et al."异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善".红外与毫米波学报 .06(2009). |
入库方式： OAI收割
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