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基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质

文献类型:期刊论文

作者陈磊 ; 朱德峰 ; 程建功 ; 赵建龙
刊名功能材料与器件学报
出版日期2009
期号02
关键词应变补偿多量子阱 超辐射发光管 台面 湿法腐蚀 感应耦合等离子体
ISSN号1007-4252
中文摘要利用多孔氧化铝模板法制备了两种1,3,5-trinitrotoluene(TNT)敏感的荧光共轭聚合物Tri-phenylamine-co-para-biphenyene vinylene(TPA-PBPV)和Triphenylamine-co-para-phenyl-ene vinylene(TPA-PPV)的纳米线阵列结构。纳米线的直径在80~100nm之间,高度在150-200nm之间。和固体薄膜相比,TPA-PBPV和TPA-PPV荧光光谱都发生了蓝移,TPA-PBPV的发射峰从485变为455n
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52059]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
陈磊,朱德峰,程建功,等. 基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质[J]. 功能材料与器件学报,2009(02).
APA 陈磊,朱德峰,程建功,&赵建龙.(2009).基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质.功能材料与器件学报(02).
MLA 陈磊,et al."基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质".功能材料与器件学报 .02(2009).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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