用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李金鹏 ; 焦继伟 ; 宓彬伟 ; 张颖 ; 王跃林 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 微流控芯片电泳 高密度脂蛋白 分析 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂。采用HHNEC 0.35μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52107]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金鹏,焦继伟,宓彬伟,等. 用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计[J]. 半导体技术,2009(12). |
| APA | 李金鹏,焦继伟,宓彬伟,张颖,&王跃林.(2009).用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计.半导体技术(12). |
| MLA | 李金鹏,et al."用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计".半导体技术 .12(2009). |
入库方式： OAI收割
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