新型L形梁压阻微加速度传感器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高廷金 ; 熊斌 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 探测器 暗电流 数字递变超晶格 InGaAs |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 介绍了一种新型的基于MEMS体硅加工工艺的L形梁压阻微加速度传感器。在加工过程中采用Si—Si直接键合完成底板与传感器支撑框体之间的粘合,使得后续加工工艺更加简单;采用DRIE释放梁结构,从而保证了梁结构的完整性。分析了该传感器的结构参数和灵敏度,并用ANSYS进行了有限元模拟,同时介绍了其工艺流程,以及封装后的测试结果。芯片尺寸为3.8 mm×3.8 mm×0.82 mm,其中敏感质量块尺寸为2 mm×2 mm×0.4 mm,梁尺寸为2 200μm×100μm×40μm。经初步测试,在采用5 V电源供电 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52120]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高廷金,熊斌. 新型L形梁压阻微加速度传感器[J]. 半导体技术,2009(12). |
| APA | 高廷金,&熊斌.(2009).新型L形梁压阻微加速度传感器.半导体技术(12). |
| MLA | 高廷金,et al."新型L形梁压阻微加速度传感器".半导体技术 .12(2009). |
入库方式： OAI收割
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