1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 唐道远 ; 李晓良 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 准循环低密度校验码 H矩阵 PEG算法 BP迭代译码 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52134]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐道远,李晓良. 1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究[J]. 半导体技术,2009(06). |
| APA | 唐道远,&李晓良.(2009).1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究.半导体技术(06). |
| MLA | 唐道远,et al."1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究".半导体技术 .06(2009). |
入库方式： OAI收割
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