Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 倪鹤南 ; 惠春 ; 吴良才 ; 宋志棠 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 故障检测 鲁棒性 模糊集 实时性 自主性 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52184]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪鹤南,惠春,吴良才,等. Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,2009(03). |
| APA | 倪鹤南,惠春,吴良才,&宋志棠.(2009).Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究.固体电子学研究与进展(03). |
| MLA | 倪鹤南,et al."Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究".固体电子学研究与进展 .03(2009). |
入库方式： OAI收割
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