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Pt/PZT/Pt结构铁电场效应晶体管性能研究

文献类型:期刊论文

作者杨富 ; 蔡道林 ; 南景宇 ; 韩冰
刊名河北北方学院学报(自然科学版)
出版日期2009
期号01
关键词网络编码 协同多用户接入 迭代译码 编码增益 分集增益
ISSN号1673-1492
中文摘要目的研究金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能.方法制备金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管并对其性能进行测量分析.结果具有顺时针的Id-Vg滞回曲线的p沟道PZT铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V到+5V的Vg电压下从Id-Vg滞回曲线中都得到了1V的存储窗口.存储窗口随-Vg的增大而增大.结论MFMIS结构的p沟道PZT铁电场效应晶体管适合在大规模、高密度、高速度铁电存储器上使用.
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52228]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
杨富,蔡道林,南景宇,等. Pt/PZT/Pt结构铁电场效应晶体管性能研究[J]. 河北北方学院学报(自然科学版),2009(01).
APA 杨富,蔡道林,南景宇,&韩冰.(2009).Pt/PZT/Pt结构铁电场效应晶体管性能研究.河北北方学院学报(自然科学版)(01).
MLA 杨富,et al."Pt/PZT/Pt结构铁电场效应晶体管性能研究".河北北方学院学报(自然科学版) .01(2009).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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