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DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式

文献类型:期刊论文

作者高超 ; 叶景良
刊名半导体技术
出版日期2009
期号09
关键词导航战 轨道机动 卫星
ISSN号1003-353X
中文摘要研究了18V漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管(DEMOS)在高栅极电压下的热载流子注入效应。实验观察到两种失效模式,分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大,发现其对器件损伤分别局限在漏极区域和沟道区域,对器件的性能影响正好相反,前者减少了漏极串联电阻,而后者增大了沟道电阻。描述了这两个失效模式的物理过程,分析并讨论了器件参数的退化曲线。讨论了如何提高DEMOS在高栅压下的抗热载流子的能力,指出了漏极上方的氧化层的质量和栅极氧化层中自由电荷数量,对于提高器件的可靠性至关重要。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52265]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
高超,叶景良. DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式[J]. 半导体技术,2009(09).
APA 高超,&叶景良.(2009).DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式.半导体技术(09).
MLA 高超,et al."DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式".半导体技术 .09(2009).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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