一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 成海涛 ; 杨恒 ; 王跃林 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 无线传感器网络 时间同步 带状 建立时间 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KOH各向异性腐蚀,硅梁两侧壁与硅片表面垂直,并自停止为(111)面。自停止面自校正地沿<112>晶向自硅梁中部向两端扩展,直至硅梁成型。经过冷冻干燥,最终在(110)SOI硅片上制得了宽度为112nm的单晶硅纳米梁。自校正的腐蚀方式提升了工艺稳定性,并且由于结合利用了湿法腐蚀和FI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52316]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成海涛,杨恒,王跃林. 一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法[J]. 功能材料与器件学报,2010(02). |
| APA | 成海涛,杨恒,&王跃林.(2010).一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 成海涛,et al."一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法".功能材料与器件学报 .02(2010). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。