相变存储器中选通二极管的模型与优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李宜瑾 ; 凌云 ; 宋志棠 ; 贾晓玲 ; 罗胜钦 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 无线传感网 本地最小化 地理路由协议 空洞扩大 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52325]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李宜瑾,凌云,宋志棠,等. 相变存储器中选通二极管的模型与优化[J]. 功能材料与器件学报,2010(06). |
| APA | 李宜瑾,凌云,宋志棠,贾晓玲,&罗胜钦.(2010).相变存储器中选通二极管的模型与优化.功能材料与器件学报(06). |
| MLA | 李宜瑾,et al."相变存储器中选通二极管的模型与优化".功能材料与器件学报 .06(2010). |
入库方式： OAI收割
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