总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺威 ; 张正选 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 超导纳米线单光子探测器 电子束曝光 反应离子刻蚀 探测效率 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响。模拟数据和试验数据具有很好的一致性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52331]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威,张正选. 总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型[J]. 功能材料与器件学报,2010(04). |
| APA | 贺威,&张正选.(2010).总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 贺威,et al."总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型".功能材料与器件学报 .04(2010). |
入库方式： OAI收割
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