部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺威 ; 张正选 |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 12 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 关键词 | 纳米压印技术 大面积滚轴压印 聚合物探针阵列 光伏电池 交叉电极阵列 |
| 中文摘要 | 通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入射点的不同位置与瞬态电流的关系曲线.从理论上提供了一种分析器件SEU的手段. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52337]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威,张正选. 部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析[J]. 微电子学与计算机,2010(12). |
| APA | 贺威,&张正选.(2010).部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析.微电子学与计算机(12). |
| MLA | 贺威,et al."部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析".微电子学与计算机 .12(2010). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。