电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张圣 ; 焦继伟 ; 葛道晗 ; 顾佳晔 ; 严培力 ; 张颖 |
| 刊名 | 传感器与微系统
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 高K栅介质 HfO_2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件 |
| ISSN号 | 1000-9787 |
| 中文摘要 | 多孔硅在微电子机械系统(MEMS)、生物等领域得到了广泛的研究,边缘效应是其进入应用的难题之一,边缘效应的存在会导致多孔硅薄膜机械强度的降低,进而影响整个多孔硅薄膜的一致性。在n型和p型2种硅晶片上,研究了电化学腐蚀中常见的多孔硅边缘效应,分析了边缘效应的产生机制,分别使用SU8光刻胶掩模法和边缘区域施加压力法对边缘效应进行了有效的抑制。并在不同类型的硅晶片上,使用压力法制备出了无边缘效应的宏孔多孔硅膜,p型多孔硅膜厚达到250μm。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52338]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张圣,焦继伟,葛道晗,等. 电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究[J]. 传感器与微系统,2010(10). |
| APA | 张圣,焦继伟,葛道晗,顾佳晔,严培力,&张颖.(2010).电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究.传感器与微系统(10). |
| MLA | 张圣,et al."电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究".传感器与微系统 .10(2010). |
入库方式： OAI收割
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