KOH各向异性腐蚀中预处理对硅表面粗糙度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 夏伟锋 ; 冯飞 ; 王权 ; 熊斌 ; 戈肖鸿 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 项目管理 科研管理 过程管理 管理信息系统 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1HF、50:1HF含HF成分的腐蚀液对硅片进行预处理,再和未做预处理的硅片在同等条件下进行KOH腐蚀,实验结果发现预处理后硅片表面粗糙度比未做处理的硅片表面粗糙度增加约1nm左右,即经过含HF成分的腐蚀液预处理后的硅片再进行KOH腐蚀,其表面粗糙度将变差。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52347]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏伟锋,冯飞,王权,等. KOH各向异性腐蚀中预处理对硅表面粗糙度的影响[J]. 半导体光电,2010(04). |
| APA | 夏伟锋,冯飞,王权,熊斌,&戈肖鸿.(2010).KOH各向异性腐蚀中预处理对硅表面粗糙度的影响.半导体光电(04). |
| MLA | 夏伟锋,et al."KOH各向异性腐蚀中预处理对硅表面粗糙度的影响".半导体光电 .04(2010). |
入库方式： OAI收割
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