环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺威 ; 张正选 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅 界面形貌 剂量窗口 注氧隔离 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他受影响的SPICE模型参数做出调整,使其电学特性模拟达到最准确精度。模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高的精度。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52362]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威,张正选. 环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究[J]. 半导体技术,2010(06). |
| APA | 贺威,&张正选.(2010).环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究.半导体技术(06). |
| MLA | 贺威,et al."环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究".半导体技术 .06(2010). |
入库方式： OAI收割
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