高K栅介质材料的研究现状与前景
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余涛 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 葛水兵 |
| 刊名 | 材料导报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 21 |
| 关键词 | 表面活性剂 PDMS 微流控芯片电泳 |
| ISSN号 | 1005-023X |
| 中文摘要 | 论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52373]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余涛,吴雪梅,诸葛兰剑,等. 高K栅介质材料的研究现状与前景[J]. 材料导报,2010(21). |
| APA | 余涛,吴雪梅,诸葛兰剑,&葛水兵.(2010).高K栅介质材料的研究现状与前景.材料导报(21). |
| MLA | 余涛,et al."高K栅介质材料的研究现状与前景".材料导报 .21(2010). |
入库方式： OAI收割
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