多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董耀旗 ; 孔蔚然 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 相变存储器 选通二极管 数值模拟 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | Fowler-Nordheim隧穿被广泛应用于EEPROM和闪存中的擦除操作。多晶硅到多晶硅的F-N隧穿具有较高的隧穿效率。本论文基于分栅闪存存储器的结构,对于多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅非平面结构的F-N隧穿及其引起的氧化层退化进行了研究。相比于平面结构,非平面结构显示出更高的F-N隧穿效率,且隧穿效率还可通过降低氧化层厚度或者增加预热氧化处理的方法进一步提高。较低的F-N隧穿电流密度显示出较慢的隧穿氧化层退化速率。降低氧化层厚度或者增加热氧化处理也可减缓隧穿氧化层的退化。另外,论文还讨论了研究结果对于改 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52380]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董耀旗,孔蔚然. 多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2010(06). |
| APA | 董耀旗,&孔蔚然.(2010).多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究(英文).功能材料与器件学报(06). |
| MLA | 董耀旗,et al."多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究(英文)".功能材料与器件学报 .06(2010). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。