InAs/GaAs量子点激光器结温研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高山 ; 李世国 ; 陈朋 ; 杨海东 ; 徐承福 ; 曹春芳 ; 龚谦 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 概率估计 滑动窗口 自适应媒体播放 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95%),InAs/GaAs量子点激光器的结温升高了23.9℃,在相同的测试条件下,商用量子阱激光器的结温仅升高了3.5℃。InAs/GaAs量子点激光器的结温比商用量子阱激光器的结温升高了6.8倍,这是影响激光器性能的一个重要参数。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52389]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山,李世国,陈朋,等. InAs/GaAs量子点激光器结温研究[J]. 半导体光电,2010(06). |
| APA | 高山.,李世国.,陈朋.,杨海东.,徐承福.,...&龚谦.(2010).InAs/GaAs量子点激光器结温研究.半导体光电(06). |
| MLA | 高山,et al."InAs/GaAs量子点激光器结温研究".半导体光电 .06(2010). |
入库方式： OAI收割
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