栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 恩云飞 ; 何玉娟 ; 罗宏伟 ; 潘金辉 ; 肖庆中 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 柔性基底 神经微电极 电镀 互连 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52393]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 恩云飞,何玉娟,罗宏伟,等. 栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2010(03). |
| APA | 恩云飞,何玉娟,罗宏伟,潘金辉,&肖庆中.(2010).栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响.固体电子学研究与进展(03). |
| MLA | 恩云飞,et al."栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响".固体电子学研究与进展 .03(2010). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。