高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王磊 ; 杨华岳 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅锗 注氧隔离 埋氧 氧化 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和效应的物理机理是漂移区载流子的速度饱和.进而从本征漏极电压Vk入手,给出了描述LDMOS管电流饱和特性的数学模型.该模型已经通过了Matlab的编程验证,兼具准确性、计算速度和可扩展性等优点,并可进一步应用于SPICE电路模拟. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52396]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王磊,杨华岳. 高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模[J]. 物理学报,2010(01). |
| APA | 王磊,&杨华岳.(2010).高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模.物理学报(01). |
| MLA | 王磊,et al."高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模".物理学报 .01(2010). |
入库方式： OAI收割
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