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浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

文献类型:期刊论文

作者刘张李 ; 邹世昌 ; 张正选 ; 毕大炜 ; 胡志远 ; 俞文杰 ; 陈明 ; 王茹
刊名功能材料与器件学报
出版日期2010
期号05
关键词降压充电 分流控制 小电阻采样
ISSN号1007-4252
中文摘要综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52411]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘张李,邹世昌,张正选,等. 浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展[J]. 功能材料与器件学报,2010(05).
APA 刘张李.,邹世昌.,张正选.,毕大炜.,胡志远.,...&王茹.(2010).浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展.功能材料与器件学报(05).
MLA 刘张李,et al."浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展".功能材料与器件学报 .05(2010).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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