中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析

文献类型:期刊论文

作者贺威 ; 张正选
刊名微电子学
出版日期2010
期号03
关键词锂电池 充电管理集成电路 太阳能电池供电
ISSN号1004-3365
中文摘要针对抗辐照设计中特殊非规则条栅栅结构的CMOS/SOI器件,分析其SPICE模型参数,对源漏电阻、电容、体接触电阻等其他模型参数作出调整,建立非标准器件的完整精确模型。设计制作了多种不同非标准栅结构的PD CMOS/SOI晶体管,并采用新的SPICE模型参数来模拟这些器件。模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高精度,适合抗辐照电路设计应用。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52429]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
贺威,张正选. 非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析[J]. 微电子学,2010(03).
APA 贺威,&张正选.(2010).非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析.微电子学(03).
MLA 贺威,et al."非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析".微电子学 .03(2010).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。