非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺威 ; 张正选 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 锂电池 充电管理集成电路 太阳能电池供电 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | 针对抗辐照设计中特殊非规则条栅栅结构的CMOS/SOI器件,分析其SPICE模型参数,对源漏电阻、电容、体接触电阻等其他模型参数作出调整,建立非标准器件的完整精确模型。设计制作了多种不同非标准栅结构的PD CMOS/SOI晶体管,并采用新的SPICE模型参数来模拟这些器件。模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高精度,适合抗辐照电路设计应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52429]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威,张正选. 非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析[J]. 微电子学,2010(03). |
| APA | 贺威,&张正选.(2010).非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析.微电子学(03). |
| MLA | 贺威,et al."非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析".微电子学 .03(2010). |
入库方式： OAI收割
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