Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 毕大炜 ; 张正选 ; 张帅 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 多视点 分布式视频编码 边信息 线性组合模型 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52439]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕大炜,张正选,张帅. Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较[J]. 功能材料与器件学报,2010(03). |
| APA | 毕大炜,张正选,&张帅.(2010).Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 毕大炜,et al."Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较".功能材料与器件学报 .03(2010). |
入库方式： OAI收割
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