采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧欣 ; 陈静 ; 武爱民 ; 孙家胤 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | MEMS器件 玻璃浆料 气密封装 圆片级键合 丝网印刷 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积。键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底。通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52460]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧欣,陈静,武爱民,等. 采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2010(03). |
| APA | 欧欣,陈静,武爱民,&孙家胤.(2010).采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文).功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 欧欣,et al."采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文)".功能材料与器件学报 .03(2010). |
入库方式： OAI收割
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