超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张帅 ; 张正选 ; 毕大炜 ; 陈明 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 无线传感器网络 室内 无线传播信道测试 线性回归 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52511]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张帅,张正选,毕大炜,等. 超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征[J]. 功能材料与器件学报,2010(01). |
| APA | 张帅,张正选,毕大炜,&陈明.(2010).超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 张帅,et al."超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征".功能材料与器件学报 .01(2010). |
入库方式： OAI收割
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