晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 顾溢 ; 李成 ; 王凯 ; 李好斯白音 ; 李耀耀 ; 张永刚 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 时隙ALOHA 动态接入概率 迭代算法 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、X射线衍射、光致发光和器件特性测试对样品进行了表征。结果显示该晶格失配度达2.6%的探测器结构具有较好的表面形貌、较大的晶格弛豫度和理想的光学特性。器件室温截止波长约为2.9μm,直径为300μm的器件室温下在反向偏压10mV时的暗电流为2.56μA。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52515]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾溢,李成,王凯,等. 晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2010(02). |
| APA | 顾溢,李成,王凯,李好斯白音,李耀耀,&张永刚.(2010).晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文).红外与毫米波学报(02). |
| MLA | 顾溢,et al."晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)".红外与毫米波学报 .02(2010). |
入库方式： OAI收割
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