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新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性

文献类型:期刊论文

作者周紫卓 ; 王伟 ; 谈惠祖 ; 孙晓玮
刊名功能材料与器件学报
出版日期2010
期号01
关键词FFT 基4运算单元 现场可编程门阵列 频域抗干扰
ISSN号1007-4252
中文摘要本文结合功能材料Al2O3和BCB(苯并环丁烯树脂)的特点,创新性地提出了Si/Al2O3/BCB多层薄膜复合结构的衬底,利用Al2O3高介电常数的优点和BCB薄膜工艺制备厚度的灵活性实现了低传输损耗。本研究采用与CMOS相兼容的半导体制造工艺在三种不同衬底(Si、Si/BCB和Si/Al2O3/BCB)上制作了CPW结构的传输线,通过仿真、测量、比较和分析其传输损耗特性得出Si/Al2O3/BCB多层薄膜复合结构衬底有效地降低了普通硅衬底的高频损耗(20GHz时CPW传输线的损耗为1.18dB/mm),
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52526]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
周紫卓,王伟,谈惠祖,等. 新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性[J]. 功能材料与器件学报,2010(01).
APA 周紫卓,王伟,谈惠祖,&孙晓玮.(2010).新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性.功能材料与器件学报(01).
MLA 周紫卓,et al."新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性".功能材料与器件学报 .01(2010).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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