图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张波 ; 陈静 ; 魏星 ; 武爱民 ; 薛忠营 ; 罗杰馨 ; 王曦 ; 张苗 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 等效电路模型 BJT BJT模型 HICUM模型 电荷控制理论 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52569]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张波,陈静,魏星,等. 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究[J]. 功能材料,2010(07). |
| APA | 张波.,陈静.,魏星.,武爱民.,薛忠营.,...&张苗.(2010).图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究.功能材料(07). |
| MLA | 张波,et al."图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究".功能材料 .07(2010). |
入库方式： OAI收割
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