温度传感器的铂薄膜制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 武蕴忠 ; 李生强 |
| 发表日期 | 1990 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1042793 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种铂薄膜电阻温度传感器的铂薄膜制造方法。它采用高频溅射或磁控溅射，以铂为靶，在氩——氧气氛下向抛光陶瓷基片上溅射。其中，溅射气氛氩——氧混合气体中的氧、氩体积比为氧５—３０％，其余为氩。溅射后的铂膜在空气中阶梯升温处理，并在１０００－１２００℃下保温。用这样制备的铂薄膜制成温度传感器，其电阻温度系数（ＴＣＲ）达到（３．８５０±１０）×１０-3Ω／Ω℃。是一种适合工业生产的铂薄膜电阻温度传感器的经济、实用方法。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1990-06-06 |
| 申请日期 | 1988-11-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 88105605.7 |
| 专利代理 | 沈德新 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52639]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武蕴忠,李生强. 温度传感器的铂薄膜制造方法. CN1042793. 1990-01-01. |
入库方式： OAI收割
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