一种金属氧化物超导薄膜的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 白国仁 ; 陶卫 ; 谢雷鸣 ; 王蓉 ; 宗家庭 ; 章熙康 ; 刘玉琼 |
| 发表日期 | 1990 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1045658 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明是一种金属氧化物高温超导薄膜的制备技术。它用钇、钡、铜金属有机物或铋、锶、钙、铜金属有机物或铊、钙、钡、铜金属有机物作有机源，在改进的金属有机物化学气相沉积系统中，氧参与的情况下，以等离子激励，代替或增强热解反应，从而直接在单晶衬底片上沉积生长临界温度在液氮温区的光亮、致密氧化物高温超导薄膜。是一种兼有化学气相沉积和物理气相沉积氧化物超导薄膜优点的方法。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1990-09-26 |
| 申请日期 | 1989-03-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 89101507.8 |
| 专利代理 | 沈德新 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52644]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白国仁,陶卫,谢雷鸣,等. 一种金属氧化物超导薄膜的制备方法. CN1045658. 1990-01-01. |
入库方式： OAI收割
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