离子束辅助沉积铂膜的成型模具及其工艺
文献类型：专利
| 作者 | 孙义林 ; 张福民 ; 陈酋善 ; 牟海川 |
| 发表日期 | 1994 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1095428 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明是离子束辅助沉积铂膜的成型模具及其工艺，属于真空蒸发、溅射及离子注入膜层形成材料涂覆的技术领域，它是在成型模具基体上用离子束辅助沉积形成3—20微米的铂膜，用氮或惰性气体作为清洗和轰击离子源的放电气体，用惰性气体作为溅射离子源的放电气体。用本发明的工艺可制得抗高温氧化和抗熔融玻璃腐蚀性能优异的成型模具，延长了模具的寿命，降低了生产成本，保证了稳定生产，并使产品质量大大提高。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1994-11-23 |
| 申请日期 | 1993-05-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 93112441.7 |
| 专利代理 | 季良赳 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52668]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙义林,张福民,陈酋善,等. 离子束辅助沉积铂膜的成型模具及其工艺. CN1095428. 1994-01-01. |
入库方式： OAI收割
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