一种氧化物巨磁电阻薄膜、制备方法及其用途
文献类型：专利
| 作者 | 沈鸿烈 ; ∴本孝一 ; 祝向荣 ; 柳泽武 ; 邹世昌 |
| 发表日期 | 1999 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1221988 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氧化物巨磁电阻薄膜、制备方法以及薄膜的用途。采用摩尔浓度为０．１摩尔／升至０．５摩尔／升的金属有机物溶液，按摩尔体积比例配制成均匀的目标溶液后，用旋转甩胶制备湿膜。再经前烘和烧结后，制备成钙钛矿结构的氧化物巨磁电阻薄膜。本方法具有工艺简单，重复性好，大面积均匀，成本低，衬底价格低廉和设备要求不高等特点，易于操作控制和推广应用。该巨磁电阻薄膜具有输出信号大，室温下电阻率随外磁场呈线性变化等特性，适合于制备磁敏器件和自旋极化三极管等。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1999-07-07 |
| 申请日期 | 1998-12-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 98122068.1 |
| 专利代理 | 邬震中 ; 高毓秋 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52681]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈鸿烈,∴本孝一,祝向荣,等. 一种氧化物巨磁电阻薄膜、制备方法及其用途. CN1221988. 1999-01-01. |
入库方式： OAI收割
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