以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 林成鲁 ; 张苗 ; 王连卫 ; 黄继颇 ; 多新中 |
| 发表日期 | 1999 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1227400 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以用AlN为绝缘埋层的SOl结构，这种SOl材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOl，更加适应高温、大功率SOl电路的需要。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1999-09-01 |
| 申请日期 | 1998-12-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 98122067.3 |
| 专利代理 | 邬震中 ; 高毓秋 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52685]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,张苗,王连卫,等. 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法. CN1227400. 1999-01-01. |
入库方式： OAI收割
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