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硅-金属双层结构薄膜热电堆

文献类型:专利

作者沈德新 ; 卢建国 ; 张保安 ; 戈肖鸿 ; 杨艺榕 ; 董荣康
发表日期1999
专利国别中国
专利号CN1235273
专利类型发明
权利人中国科学院上海冶金研究所
中文摘要本发明涉及一种硅-金属双层结构薄膜热电堆。主要由硅片衬底、衬底一面上的J形或L形多晶硅或金属薄膜条、隔离绝缘层、隔离层上面的L形或J形金属或多晶硅薄膜条、测量结点和串连参考结点、输出端和衬底另一面的空穴腔构成。本发明采用分层立体设计,不但拓宽了热电堆中布置元件的空间,使微小型化薄膜热电堆尺寸更小,串联的热电偶元件数量更多,而且有效地提高了输出量和性能,是一种设计简练、实用的薄膜热电堆。
是否PCT专利
公开日期1999-11-17
申请日期1999-05-05
语种中文
专利申请号99113682.9
专利代理季良赳
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52692]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利
推荐引用方式
GB/T 7714
沈德新,卢建国,张保安,等. 硅-金属双层结构薄膜热电堆. CN1235273. 1999-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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