一种低剂量注氧制作绝缘层上硅(SOI)电路的器件工艺
文献类型：专利
| 作者 | 王连卫 ; 林成鲁 ; 张苗 ; 范秀强 ; 多新中 |
| 发表日期 | 2001 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1279505 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种低剂量氧注入制作绝缘层上硅（SOI）电路的方法，属于微电子技术领域。本发明特征在于4～6×1017／cm2低剂量注氧后，经预氧化淀积Si3N4，再光刻将有源区保护，并进行热氧化，再进行1300℃－1350℃，3～5小时高温退火，获得SOI结构，可直接进行互补金属氧化物半导体晶体管的制作，本发明提供的方法与硅集成电路完全兼容。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2001-01-10 |
| 申请日期 | 2000-04-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 00115501.6 |
| 专利代理 | 潘振苏 ; 沈德新 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52723]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王连卫,林成鲁,张苗,等. 一种低剂量注氧制作绝缘层上硅(SOI)电路的器件工艺. CN1279505. 2001-01-01. |
入库方式： OAI收割
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