制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
文献类型：专利
| 作者 | 李爱珍 ; 林春 ; 郑燕兰 ; 简贵胄 ; 张永刚 |
| 发表日期 | 2001 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1328175 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系。包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水；氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸、和双氧水。这三种腐蚀液不会破坏光刻胶掩膜，能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系Ⅲ－Ⅴ族锑化合物的台面腐蚀，腐蚀速率可控，且小于1μm/min，与器件工艺兼容。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2001-12-26 |
| 申请日期 | 2001-05-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 01112872.0 |
| 专利代理 | 潘振∴ |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52752]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,林春,郑燕兰,等. 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系. CN1328175. 2001-01-01. |
入库方式： OAI收割
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