一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张苗 ; 安正华 ; 林成鲁 ; 沈勤我 ; 刘卫丽 |
| 发表日期 | 2002 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1332478 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法，其特征在于材料或为SiGe层/SiO2埋层/Si衬底或为SiGe层/SiO2埋层/缓冲层/Si衬底多层结构；前一材料结构中SiGe层的Ge组分小于30％，厚度在自纳米量级或更小；后一结构中表层SiGe层Ge组分固定为0－100％间任一值。制备方法是采用外延在单晶硅衬底或生长有缓冲层的单晶硅衬底上外延SiGe单晶薄膜，形成异质结构，然后经氧离子注入和各高温退火热处理在外延SiGe层下形成一个SiO2 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2002-01-23 |
| 申请日期 | 2001-08-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 01126543.4 |
| 专利代理 | 潘振∴ |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52763]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,安正华,林成鲁,等. 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法. CN1332478. 2002-01-01. |
入库方式： OAI收割
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