一种薄膜电池用的有机硫化物正极及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王久林 ; 解晶莹 ; 杨军 ; 徐乃欣 ; 晏莉琴 ; 杜柯 |
| 发表日期 | 2002 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1337753 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及了一种新型的薄膜电池用正极及其制备方法，属于电池领域。其特征在于该正极采用了一种电化学活性的、具有高能量密度、高容量密度的有机硫化物。制备方法包括将有机聚合物溶解在溶剂中，将溶液均匀涂在集流体上，然后在200—400℃下与硫蒸汽反应得到薄膜电池的正极，或者将有机聚合物溶解在溶剂中并与单质硫均匀混合，然后在200—400℃下硫化处理得到正极，材料中硫含量为40—90wt％。利用这种正极制备的薄膜电池表明正极容量密度为500—900mAh/g。制备方法的特征是薄膜电池的正极与正极所采用的活性有机硫化 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2002-02-27 |
| 申请日期 | 2001-09-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 01126834.4 |
| 专利代理 | 潘振∴ |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52770]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王久林,解晶莹,杨军,等. 一种薄膜电池用的有机硫化物正极及其制备方法. CN1337753. 2002-01-01. |
入库方式： OAI收割
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