半导体发光器件的发射腔及其工艺
文献类型：专利
| 作者 | 孙体忠 |
| 发表日期 | 1986 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN85100503 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明是半导体发光器件的反射腔及其工艺,属于半导体光电器件,特别是半导体发光器件的领域,它是利用单晶硅的各向异性腐蚀特性在单晶硅的(100)晶面上形成各种立方或长方锥形反射腔,再镀上一层金属(如Au,Ag或Al等)作为金属镜面,从而可制得各种LED指示灯,数码管,5×7字符显示或LED列阵等.本发明的反射腔工艺与通常的半导体器件工艺相容,用这种反射腔制得的LED器件,可使输出光强增加,提高发光效率. |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1986-09-17 |
| 申请日期 | 1985-04-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 85100503 |
| 专利代理 | 季良赳 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52788]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙体忠. 半导体发光器件的发射腔及其工艺. CN85100503. 1986-01-01. |
入库方式： OAI收割
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