抛光法U形槽隔离技术
文献类型：专利
| 作者 | 徐元森 ; 陈明琪 ; 吴佛春 ; 曹树洪 ; 严金龙 ; 陆锦兰 ; 何德淇 ; 谢明纲 ; 周弼芸 |
| 发表日期 | 1987 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN86100527 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明是抛光法U形槽隔离技术,属于集成电路元件间隔离层制造技术的改进.它采用反应离子刻蚀腐蚀隔离槽,然后用多晶硅填槽.本发明用化学或化学机械抛光法代替反应离子刻蚀来抛光削平表面多晶硅.使隔离工艺简单,便于控制,成本低,隔离区尺寸小而表面平整度好、适于大规模生产,特别适合我国现在生产条件. |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1987-09-23 |
| 申请日期 | 1986-03-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 86100527 |
| 专利代理 | 秀良赴 ; 沈德新 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52807]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐元森,陈明琪,吴佛春,等. 抛光法U形槽隔离技术. CN86100527. 1987-01-01. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。