微尺寸超导隧道结的热熔蜡二次加热的固定安装方法
文献类型：专利
| 作者 | 李婧 ; 史生才 |
| 发表日期 | 2011-01-19 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 2.008101247928E11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院紫金山天文台 |
| 中文摘要 | 微尺寸超导隧道结的热熔蜡二次加热的固定安装方法:(1)将超导SIS芯片放到安装槽中,大致调整好位置;(2)芯片两端各放一点热熔蜡;(3)然后将混频器基座置于热板上,热板温度比蜡的熔点低10～20度;(4)待热熔蜡变软后,取下混频器基座,轻压和移动软化的蜡,使之较好覆盖芯片两端,并与安装槽底部较好的粘贴;(5)然后微调芯片位置,完成定位;(6)重新将混频器基座放回热板,热板温度升温至等同或略高于蜡的熔点,待蜡完全熔化为液态后,取下混频器基座,使之常温冷却;(7)将芯片的两端通过常规点焊实现接地及与中频微带线的连接。本发明安装成功率极大提高;固定更牢;更适合低温工作;不易对器件表面和安装槽造成污染 |
| 公开日期 | 2009-01-21 |
| 申请日期 | 2008-09-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利证书号 | 第731231号 |
| 专利申请号 | 2.008101247928E11 |
| 专利代理 | 栗仲平 |
| 源URL | [http://libir.pmo.ac.cn/handle/332002/1391]  |
| 专题 | 紫金山天文台_中科院紫金山天文台专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李婧,史生才. 微尺寸超导隧道结的热熔蜡二次加热的固定安装方法. 2.008101247928E11. 2011-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：紫金山天文台
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