Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang M ; Gu YX ; Ji HM ; Yang T ; Wang ZG |
| 刊名 | chinese physics b
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 20期号:7页码:77301 |
| 关键词 | EPITAXY MOVPE |
| ISSN号 | 1009-1963 |
| 通讯作者 | yang, t (reprint author), chinese acad sci, inst semicond, key lab semicond mat sci, beijing 100083, peoples r china, tyang@semi.ac.cn |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 资助信息 | chinese academy of sciences, china |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-02-06 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22789]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang M,Gu YX,Ji HM,et al. Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model[J]. chinese physics b,2011,20(7):77301. |
| APA | Wang M,Gu YX,Ji HM,Yang T,&Wang ZG.(2011).Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model.chinese physics b,20(7),77301. |
| MLA | Wang M,et al."Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model".chinese physics b 20.7(2011):77301. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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