Temperature performance of the edge emitting transistor laser
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liang S ; Zhu HL ; Kong DH ; Niu B ; Zhao LJ ; Wang W |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 99期号:1页码:13503 |
| 关键词 | HETEROSTRUCTURE LASER BIPOLAR-TRANSISTOR OPERATION INTEGRATION |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 通讯作者 | liang, s (reprint author), chinese acad sci, inst semicond, key lab semicond mat, beijing 100083, peoples r china, liangsong@semi.ac.cn |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 资助信息 | national natural science foundation of china[60706009, 61006044, 60736036, 61021003]; national 973 program[2011cb301702]; national 863 project[2009aa03z442] |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-02-06 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22805]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liang S,Zhu HL,Kong DH,et al. Temperature performance of the edge emitting transistor laser[J]. applied physics letters,2011,99(1):13503. |
| APA | Liang S,Zhu HL,Kong DH,Niu B,Zhao LJ,&Wang W.(2011).Temperature performance of the edge emitting transistor laser.applied physics letters,99(1),13503. |
| MLA | Liang S,et al."Temperature performance of the edge emitting transistor laser".applied physics letters 99.1(2011):13503. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。