The p recombination layer in tunnel junctions for micromorph tandem solar cells
文献类型:期刊论文
作者 | Yao WJ ; Zeng XB ; Peng WB ; Liu SY ; Xie XB ; Wang C ; Liao XB |
刊名 | chinese physics b |
出版日期 | 2011 |
卷号 | 20期号:7页码:78402 |
ISSN号 | 1009-1963 |
关键词 | SILICON |
通讯作者 | zeng, xb (reprint author), chinese acad sci, inst semicond, key lab semicond mat sci, beijing 100083, peoples r china, xbzeng@semi.ac.cn |
学科主题 | 半导体材料 |
资助信息 | national basic research program of china[2006cb202604]; chinese academy of sciences[1kgcx2-yw-383-1]; national high technology research and development program of china[sq2010aa0521758001] |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-02-06 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22807] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Yao WJ,Zeng XB,Peng WB,et al. The p recombination layer in tunnel junctions for micromorph tandem solar cells[J]. chinese physics b,2011,20(7):78402. |
APA | Yao WJ.,Zeng XB.,Peng WB.,Liu SY.,Xie XB.,...&Liao XB.(2011).The p recombination layer in tunnel junctions for micromorph tandem solar cells.chinese physics b,20(7),78402. |
MLA | Yao WJ,et al."The p recombination layer in tunnel junctions for micromorph tandem solar cells".chinese physics b 20.7(2011):78402. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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