Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang J ; Han Q ; Yang XH ; Wang XP ; Ni HQ ; He JF |
| 刊名 | journal of vacuum science & technology b
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 29期号:4页码:41208 |
| 关键词 | HYDROGEN-PEROXIDE SOLUTIONS III-V SEMICONDUCTORS PSEUDOMORPHIC MODFETS GAAS FABRICATION TRANSISTOR ALGAAS |
| ISSN号 | 1071-1023 |
| 通讯作者 | wang, j (reprint author), chinese acad sci, inst semicond, state key lab integrated optoelect, beijing 100083, peoples r china, hanqin@semi.ac.cn |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 资助信息 | national natural foundation of china[60876039]; hi-tech research and development program of china (863 program)[2007aa03z421] |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-02-06 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22847]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang J,Han Q,Yang XH,et al. Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs[J]. journal of vacuum science & technology b,2011,29(4):41208. |
| APA | Wang J,Han Q,Yang XH,Wang XP,Ni HQ,&He JF.(2011).Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs.journal of vacuum science & technology b,29(4),41208. |
| MLA | Wang J,et al."Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs".journal of vacuum science & technology b 29.4(2011):41208. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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